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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature
作者: Tang, CG;  Chen, YH;  Liu, Y;  Zhang, RQ;  Liu, XL;  Wang, ZG;  Zhang, R;  Zhang, Z
出版日期: 2008
会议日期: MAR 24-27, 2008
摘要: The linear and circular photogalvanic effects have been observed in undoped InN films for the interband transition by irradiation of 1060 nm laser at room temperature. The spin polarized photocurrent depends on the degree of polarization, and changes its sip when the radiation helicity changes from left-handed to right-handed. This result indicates the sizeable spin-orbit interaction in the InN epitaxial layer and provides an effective method to generate spin polarized photocurrent and to detect spin-splitting effect in semiconductors with promising applications on spintronics.
会议名称: 2nd IEEE International Nanoelectronics Conference
KOS主题词: Quantum wells;  conformal symmetry
会议文集: 2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Tang, CG ; Chen, YH ; Liu, Y ; Zhang, RQ ; Liu, XL ; Wang, ZG ; Zhang, R ; Zhang, Z .Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature .见:IEEE .2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2008,VOLS 1-3: 1066-1069
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