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| GaAs 光阴极材料及SiC/SOI 材料的生长与性能的研究 | |
| 王晓峰 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 曾一平 ; 黄风义 |
| 2005 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学科领域 | 材料物理与化学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-07-09 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5453 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓峰. GaAs 光阴极材料及SiC/SOI 材料的生长与性能的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2005. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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