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| Si（111）衬底上GaN外延层的MOCVD生长与性质研究 | |
| 伍墨 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 杨辉 |
| 2004 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学科领域 | 微电子学与固体电子学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-07-09 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5323 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伍墨. Si（111）衬底上GaN外延层的MOCVD生长与性质研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2004. |
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