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| UHV/CVD生长弛豫SiGe和SiGe/Si II型量子阱的研究 | |
| 李代宗 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 王启明 ; 余金中 |
| 2000 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学科领域 | 半导体物理与半导体器件物理 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-07-09 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4985 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李代宗. UHV/CVD生长弛豫SiGe和SiGe/Si II型量子阱的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2000. |
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