UHV/CVD生长弛豫SiGe和SiGe/Si II型量子阱的研究
李代宗
学位类型博士
导师王启明 ; 余金中
2000
学位授予单位中国科学院半导体研究所
学位授予地点北京
学科领域半导体物理与半导体器件物理
语种中文
公开日期2009-04-13 ; 2009-07-09
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4985
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
李代宗. UHV/CVD生长弛豫SiGe和SiGe/Si II型量子阱的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2000.
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