GaxSi1-x/Si化学气相外延反应机理的研究
金晓军
学位类型博士
导师梁骏吾
1995
学位授予单位中国科学院半导体研究所
学位授予地点北京
学科领域半导体材料
语种中文
公开日期2009-04-13
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4789
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
金晓军. GaxSi1-x/Si化学气相外延反应机理的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,1995.
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