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| GaxSi1-x/Si化学气相外延反应机理的研究 | |
| 金晓军 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 梁骏吾 |
| 1995 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-04-13 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4789 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金晓军. GaxSi1-x/Si化学气相外延反应机理的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,1995. |
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