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Si中注入Ge形成GexSi1-x层的研究 | |
马天安 | |
学位类型 | 硕士 |
导师 | 马俊如 |
1988 | |
学位授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
学位授予地点 | 北京 |
学科领域 | 新工艺的研究及有关物理问题 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2009-04-13 |
文献类型 | 学位论文 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4653 |
专题 | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马天安. Si中注入Ge形成GexSi1-x层的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,1988. |
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