调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结构中衬底光激发对导电沟道的作用
黄云吉
学位类型硕士
导师江丕桓 ; 葛惟锟
1987
学位授予单位中国科学院半导体研究所
学位授予地点北京
学科领域半导体异质结构物理
语种中文
公开日期2009-04-13
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4447
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
黄云吉. 调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结构中衬底光激发对导电沟道的作用[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,1987.
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