制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法
陈弘达; 胡海洋
2008-12-17
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-06-13
语种中文
申请号CN200710118869.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4275
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈弘达,胡海洋. 制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法[P]. 2008-12-17.
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