在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
2008-08-13
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-02-07
语种中文
申请号CN200710063705.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4181
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
周慧英,曲胜春,金鹏,等. 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法[P]. 2008-08-13.
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