一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管
秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽
2008-04-23
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-10-18
语种中文
申请号200610113819
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3997
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
秦大山,曹国华,曹俊松,等. 一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管[P]. 2008-04-23.
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