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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法
发明人: 王小东;  吴旭明;  谭满清
授权日期: 2007-8-22
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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王小东;吴旭明;谭满清,长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法,200610003587 ,20060215
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