| 基于带电氧空位漂移的HfO2基薄膜负电容机理 | |
| 董昊 | |
| Subtype | 硕士 |
| 2023-05-26 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Degree Name | 工程硕士 |
| Language | 中文 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31620 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 董昊. 基于带电氧空位漂移的HfO2基薄膜负电容机理[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2023. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| GK2023058-硕士-材料重点-董昊（5752KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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