SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究
彭莉媛
学位类型博士
2021-06
学位授予单位中国科学院大学
学位授予地点中国科学院半导体研究所
语种中文
公开日期2021-06
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30243
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
彭莉媛. 基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2021.
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2021081-公开-博士-光电研发-彭(129055KB)学位论文 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
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