SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
高响应度硅基光电探测器的研究
杨帆
学位类型博士
2019-06
学位授予单位中国科学院大学
学位授予地点中国科学院半导体研究所
语种中文
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28896
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨帆. 高响应度硅基光电探测器的研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2019.
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2019012-杨帆-博士-高响应度硅基(34019KB)学位论文 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
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