SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
用于神经接口的纳米光电传感器件研究
范辉
Subtype博士后
2018-11-26
Degree Grantor全国博士后管理委员会
Place of Conferral中国科学院半导体研究所
Degree Name博士后
Keyword光传感器 局域表面等离子共振 金属纳米结构 植入式神经光电极
Abstract

本研究工作通过在目前的光遗传学研究中应用的微光电极神经接口中引入光传感器件及接收器,在光刺激、电记录、电刺激三种功能之外,引入光记录这一新功能,将表面等离子共振技术和光纤传感技术与已有的光遗传学神经接口器件融合,在传统的神经光电极中用于传导光刺激信号的光纤上进行金属纳米结构的加工、集成和组装,在不显著增加光纤植入体积的前提下将其改造成为基于表面等离子共振技术的光纤传感器,充分利用表面等离激元对环境介质的高度敏感性以及作为其载体的金结构表面成熟的生物修饰处理工艺,尝试对神经信号所伴随的神经递质浓度的变化进行传感和记录。通过光记录和电记录相互配合,提高光电极器件记录功能的准确性和灵敏度,缩短刺激与记录之间所需的时间间隔,同时实现“光刺激-电记录”、“电刺激-光记录”、“光刺激-光记录”等多种传感机制。我们对基于光纤的表面等离子共振光传感理论进行了深入研究,在光纤传感器的器件构型选取、加工制备流程、光学性能测试、参数调整优化等方面均取得了较大的进展,我们还在将长周期光纤光栅用于植入式传感的尝试中取得了一定的收获。

MOST Discipline Catalogue工学 ; 工学::电子科学与技术(可授工学、理学学位)
Language中文
Date Available2018-11-26
Document Type学位论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28890
Collection光电子研究发展中心
Recommended Citation
GB/T 7714
范辉. 用于神经接口的纳米光电传感器件研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 全国博士后管理委员会,2018.
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