| InGaAs单光子雪崩光电二极管研究 | |
| 曹思宇 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 李传波 |
| 2018-05-24 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 关键词 | 雪崩光电二极管 理论与仿真分析 电荷层 隧穿效应 单光子雪崩光电二极管 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2018-05-28 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28368 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹思宇. InGaAs单光子雪崩光电二极管研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2018. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 【InGaAs单光子雪崩光电二极管研究】（4521KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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