制作半导体台面侧向电流限制结构的技术
王圩; 王志杰; 张济志; 朱洪亮
1997-05-14
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期1996-09-05
语种中文
申请号CN96109615.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2829
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王圩,王志杰,张济志,等. 制作半导体台面侧向电流限制结构的技术[P]. 1997-05-14.
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