含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究
李巍
学位类型博士
导师王晓亮
2017-06-01
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业微电子学与固体电子学
关键词氮化镓 铟铝氮 高电子迁移率晶体管 二维电子气 电流崩塌
公开日期2017-06-05
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28224
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李巍. 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017.
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