SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
P型GaN材料生长及性能表征
liushuangtao
学位类型硕士
导师赵德刚
2017-05-25
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业电子与通信工程
关键词Mocvd P-gan 退火 Mg受主激活
学科领域半导体材料
公开日期2017-06-02
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28181
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
liushuangtao. P型GaN材料生长及性能表征[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017.
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刘双韬毕业论文2017.pdf(2557KB) 限制开放使用许可请求全文
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