高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心  > 学位论文

题名: 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究
作者: 田丽欣
答辩日期: 2016-11
学位: 博士
专题: 半导体材料科学中心_学位论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究-田丽欣.pdf3926KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
田丽欣.4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 [博士].北京.中国科学院半导体研究所.2016
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [田丽欣]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [田丽欣]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发