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4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究
田丽欣
学位类型博士
导师孙国胜
2016-11
学位授予单位中国科学院半导体研究所
学位授予地点北京
学位专业微电子学与固体电子学
公开日期2016-12-05
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27665
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
田丽欣. 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2016.
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4H -SiC 基 SiO 2和 Al (3926KB) 限制开放使用许可请求全文
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