| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 | |
| 田丽欣 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 孙国胜 |
| 2016-11 | |
| Degree Grantor | 中国科学院半导体研究所 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Date Available | 2016-12-05 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27665 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 田丽欣. 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2016. |
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