基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构
郭菲; 陆丹; 张瑞康; 王会涛; 王圩; 吉晨
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-06-23
申请号CN201510348841.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27539
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郭菲,陆丹,张瑞康,等. 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构.
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基于多模干涉耦合器的InP基模分复用-解(484KB) 限制开放使用许可请求全文
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