SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
高压发光二极管芯片及其制造方法
郭金霞; 闫建昌; 伊晓燕; 田婷; 詹腾; 赵勇兵; 宋昌斌; 王军喜
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-03
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-03-21
申请号CN201310091232.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25829
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
郭金霞,闫建昌,伊晓燕,等. 高压发光二极管芯片及其制造方法.
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高压发光二极管芯片及其制造方法.pdf(429KB) 限制开放使用许可请求全文
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