| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 | |
| 郭晓璐; 马文全; 张艳华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-08-07 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2013-04-18 |
| Application Number | CN201310135986.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25783 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郭晓璐,马文全,张艳华. 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs_G（390KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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