| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 | |
| 郭晓璐; 马文全; 张艳华 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-08-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2013-04-18 |
| 申请号 | CN201310135986.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25783 |
| 专题 | 纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭晓璐,马文全,张艳华. 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs_G（390KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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