SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统
赵建华; 王海龙
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-06-25
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2014-04-16
申请号CN201410157558.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25721
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
赵建华,王海龙. 用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统.
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