SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法
王春霞; 高洪生; 阚强; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-03-06 ; 2013-03-06
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2012-11-06
申请号CN201210436983.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25179
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王春霞,高洪生,阚强,等. 含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法.
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含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备(578KB) 限制开放使用许可请求全文
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