4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究
郑柳
学位类型博士
导师孙国胜
2014-05-29
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业微电子学与固体电子学
关键词4h-sic 肖特基二极管 双阻终端扩展 欧姆接触 可靠性 Tmbs 4h-sic/sio2界面
公开日期2014-06-05
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25125
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑柳. 4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2014.
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4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4(5914KB) 限制开放使用许可请求全文
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