Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计
谷承艳
学位类型博士
导师刘祥林 ; 杨少延 ; 李成明
2013
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业材料物理与化学
学科领域半导体材料
语种中文
公开日期2013-06-20
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24164
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
谷承艳. Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2013.
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