SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法; 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法
高云; 张兴旺; 尹志岗; 屈盛; 高红丽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法,该方法包括:步骤1:在衬底上,溅射一层缓冲层;步骤2:在缓冲层上溅射一层取向诱导层;步骤3:利用浸涂或者旋涂的方法,在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列;步骤4:在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层,形成基片;步骤5:对基片进行退火处理,完成磁记录介质的制备。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN102097106A
Language中文
Status公开
Application Number CN201010597849.3
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23493
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
高云,张兴旺,尹志岗,等. 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法, 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法. CN102097106A.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法.(367KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[高云]'s Articles
[张兴旺]'s Articles
[尹志岗]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[高云]'s Articles
[张兴旺]'s Articles
[尹志岗]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[高云]'s Articles
[张兴旺]'s Articles
[尹志岗]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.