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量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法; 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法
邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法,包括:在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层;生长SiO2保护层;形成放大器区和电吸收调制器区;腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层,在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层;快速热退火;腐蚀掉SiO2层;在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层;腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层;在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层,完成器件的制作。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN102162968A
Language中文
Status公开
Application Number CN201010591447.2
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23489
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
邵永波,赵玲娟,于红艳,等. 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法, 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法. CN102162968A.
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量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方(478KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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