SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
水汽探测用激光芯片的制造方法; 水汽探测用激光芯片的制造方法
于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种水汽探测用激光芯片的制造方法,包括如下步骤:步骤1:在n型InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、下波导层、多量子阱结构、上波导层和p-n反型层;步骤2:采用全息曝光法在p-n反型层和上波导层上制作复耦合光栅;步骤3:在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层;步骤4:在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构,并大面积淀积二氧化硅层;步骤5:刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层,形成窗口;步骤6:在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent Number CN102364771A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110355379.4
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23476
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
于红艳,周旭亮,邵永波,等. 水汽探测用激光芯片的制造方法, 水汽探测用激光芯片的制造方法.  CN102364771A.
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