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一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法; 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法
郑婉华; 彭红玲; 渠宏伟; 马绍栋
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法,包括:清洗单面抛光的InGaAs外延片,去除表面的有机物;在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层;对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄金属条的InGaAs外延片;采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶;清洗GaAs外延片,去除表面的有机物;将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片;将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽;对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。
部门归属纳米光电子实验室
专利号 CN102110595A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201010595707.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23463
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑婉华,彭红玲,渠宏伟,等. 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法, 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法.  CN102110595A.
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