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不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵; 不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵
王晓勇; 种明; 苏艳梅
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法,包括:在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层;在其两侧向下进行刻蚀,刻蚀到达n型掺杂层内;在其表面沉积氮化硅层;去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上的部分氮化硅层并制作n型欧姆接触金属层,在去除部分氮化硅层的p型掺杂层上制作p型欧姆接触金属层,形成基片;在基片的表面沉积一层二氧化硅层;在二氧化硅层的最上面光刻,腐蚀露出面阵四个边缘的n型欧姆接触金属层,腐蚀露出p型欧姆接触金属层;在面阵四个边缘露出的n型欧姆接触金属层和p型欧姆金属层引线孔内及部分二氧化硅层的表面制作加厚金属层;将衬底减薄、抛光,进行管芯分割,完成探测器面阵制作。
metadata_83纳米光电子实验室
Patent NumberCN102244146A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110184218.3
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23452
Collection纳米光电子实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
王晓勇,种明,苏艳梅. 不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵, 不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵. CN102244146A.
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