| 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构; 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 |
| 郑婉华; 陈微; 张建心; 渠红伟; 付非亚
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构,包括：一砷化镓衬底；一光子晶体区域,该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上,用来实现基模的大面积振荡；一过渡层,该过渡层制作在光子晶体区域上；一上限制层,该上限制层制作在过渡层上,用来限制光场向上的泄露；一接触层,该接触层制作在上限制层上,用来与金属形成上电极,这样便形成实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN102255240A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110147409.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23451
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑婉华,陈微,张建心,等. 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构, 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构. CN102255240A.
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