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实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构; 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构
郑婉华; 陈微; 张建心; 渠红伟; 付非亚
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构,包括:一砷化镓衬底;一光子晶体区域,该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上,用来实现基模的大面积振荡;一过渡层,该过渡层制作在光子晶体区域上;一上限制层,该上限制层制作在过渡层上,用来限制光场向上的泄露;一接触层,该接触层制作在上限制层上,用来与金属形成上电极,这样便形成实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构。
metadata_83纳米光电子实验室
Patent NumberCN102255240A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110147409.2
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23451
Collection纳米光电子实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
郑婉华,陈微,张建心,等. 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构, 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构. CN102255240A.
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