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一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法; 一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法
谭满清; 焦健
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 本发明公开了一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法,采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜,实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备。本发明采用斜三角形吸收区的波导形式,它的三条边与对应腔面之间均保持一定的夹角,可以有效提高光透射率;另外,斜腔的结构也可以有效抑制受激振荡,减少腔面的光反馈。在膜系设计上,两层膜系结构的低反射率光谱区带宽、膜料的折射率偏差和厚度偏差对膜系剩余反射率的影响程度均好于三层膜系对称结构,且工艺制备时的允差较大,有利于实现精确监控。本发明提供的制作低波纹系数的半导体超辐射发光二极管方法,工艺相对简单,实现成本较低,具有工艺合理性。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Language中文
Status公开
Application Number CN201010564564.X
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23439
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
谭满清,焦健. 一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法, 一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法.
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