| 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器; 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 | |
| 赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种亚微米波导型Ge量子阱电光调制器,包括：一SOI衬底,该SOI衬底包括一硅衬底,一制作在硅衬底上的二氧化硅层和制作在二氧化硅层上的硅波导层,该硅波导层的宽度小于二氧化硅层的宽度；一缓冲层,该缓冲层制作在SOI衬底上面的硅波导层的中间部位,该缓冲层的长度小于硅波导层的长度；一虚衬底,该虚衬底制作在缓冲层上；一有源区,该有源区制作在虚衬底的上面；一盖层,该盖层制作在有源区的上面,所述的缓冲层、虚衬底、有源区和盖层构成调制区,该调制区和SOI衬底上的硅波导层的宽度均为亚微米量级。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110108110.6 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23430 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵红卫,胡炜玄,成步文,等. 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器, 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器.pdf（364KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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