SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
亚微米波导型Ge量子阱电光调制器; 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器
赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种亚微米波导型Ge量子阱电光调制器,包括:一SOI衬底,该SOI衬底包括一硅衬底,一制作在硅衬底上的二氧化硅层和制作在二氧化硅层上的硅波导层,该硅波导层的宽度小于二氧化硅层的宽度;一缓冲层,该缓冲层制作在SOI衬底上面的硅波导层的中间部位,该缓冲层的长度小于硅波导层的长度;一虚衬底,该虚衬底制作在缓冲层上;一有源区,该有源区制作在虚衬底的上面;一盖层,该盖层制作在有源区的上面,所述的缓冲层、虚衬底、有源区和盖层构成调制区,该调制区和SOI衬底上的硅波导层的宽度均为亚微米量级。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Language中文
Status公开
Application Number CN201110108110.6
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23430
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
赵红卫,胡炜玄,成步文,等. 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器, 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器.
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