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可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法; 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法
杨怀伟; 李彬; 韩勤
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法,包括:在N型InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP渐变层、N型InP电荷层和InP帽层;在InP帽层上生长SiO2保护层;在SiO2保护层的中间光刻出圆形窗口;通过湿法腐蚀,在圆形窗口中腐蚀InP帽层,形成圆坑;在圆形窗口周围的SiO2保护层上套刻出保护环的窗口;通过扩散工艺在保护环的窗口内;用HF溶液去除剩余的SiO2保护层;在InP帽层上重新生长SiO2层,并在圆坑的周围套刻出电极窗口;通过电子束蒸发、剥离工艺,在电极窗口上形成顶部环状电极;在环状电极上的周围及一侧制备金属电极;通过电子束蒸发,在N型InP衬底的背面形成背部电极;在圆坑内InP帽层的表面,制备SiNx增透膜,完成雪崩二极管探测器的制作。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Language中文
Status公开
Application Number CN201110391274.4
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23417
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
杨怀伟,李彬,韩勤. 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法, 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法.
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可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器(498KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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