SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法; 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法
毛雪; 韩培德
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器,包括:一硅或SOI衬底;一第一掺杂层,制作在硅或SOI衬底上;一第二掺杂层,制作在第一掺杂层上;一迎光面介质钝化层,制作在第二掺杂层上;一第一金属电极,为E字形结构,该第一金属电极制作在第二掺杂层上;一第二金属电极,为E字形结构,该第二金属电极制作在第一掺杂层上。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110384199.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23410
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
毛雪,韩培德. 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法, 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法.
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深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备(560KB) 限制开放使用许可请求全文
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