| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法; 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 |
| 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-07
; 2011-08-17
; 2012-09-07
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法,包括如下步骤：步骤1：在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层；步骤2：在介质钝化层上涂覆抗蚀剂；步骤3：利用光子束超衍射纳米加工技术,在抗蚀剂上曝光,显影,定影,形成栅足图形；步骤4：用RIE刻蚀技术,将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀,形成沟槽；步骤5：将残余的抗蚀剂洗去,在介质钝化层上涂覆光刻胶；步骤6：利用光子束超衍射纳米加工技术,在光刻胶上曝光,显影,定影,形成栅头图形；步骤7：在光刻胶上蒸发栅极金属；步骤8：去除光刻胶,在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 申请日期 | 2010-12-15
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| 专利号 | CN102157361A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010605875.6
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23351
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
颜伟,杜彦东,韩伟华,等. 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法, 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法. CN102157361A.
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