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利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法; 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法
颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-07 ; 2011-08-17 ; 2012-09-07
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法,包括如下步骤:步骤1:在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层;步骤2:在介质钝化层上涂覆抗蚀剂;步骤3:利用光子束超衍射纳米加工技术,在抗蚀剂上曝光,显影,定影,形成栅足图形;步骤4:用RIE刻蚀技术,将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀,形成沟槽;步骤5:将残余的抗蚀剂洗去,在介质钝化层上涂覆光刻胶;步骤6:利用光子束超衍射纳米加工技术,在光刻胶上曝光,显影,定影,形成栅头图形;步骤7:在光刻胶上蒸发栅极金属;步骤8:去除光刻胶,在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Application Date2010-12-15
Patent NumberCN102157361A
Language中文
Status公开
Application Number CN201010605875.6
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23351
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
颜伟,杜彦东,韩伟华,等. 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法, 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法. CN102157361A.
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利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极(370KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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