SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
高速超低功耗16QAM发射装置; 高速超低功耗16QAM发射装置
章琦; 吴南健
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-29 ; 2011-06-15 ; 2012-08-29
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种高速超低功耗16QAM发射装置,包括:一锁相环频率综合器,其输出端与除四分频器的输入端连接;一除四分频器,其输入端与锁相环频率综合器的输出端连接;一四选一相位选通器,其输入端与除四分频器的输出端连接;一四选一相位选通器,其输入端与除四分频器的输出端连接;一相位调制器,其输入端分别与四选一相位选通器的输出端连接,用于产生相位已调信号,并驱动变增益功率放大器;一变增益功率放大器,其输入端与相位调制器的输出端连接,用于产生两种不同的信号幅度并驱动天线欧姆负载;一16QAM数字调制器,其输出端分别与四选一相位选通器,相位调制器,变增益功率放大器的输入端相连接,用来将串行输入的基带数据进行串并转换,形成16QAM调制所需要的四位并行数据。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
申请日期2011-01-24
专利号CN102098267A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110025083.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23336
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
章琦,吴南健. 高速超低功耗16QAM发射装置, 高速超低功耗16QAM发射装置. CN102098267A.
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