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| 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统; 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统 | |
| 谭平恒; 赵伟杰; 韩文鹏; 历巧巧; 姬扬 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-08-29 ; 2011-08-17 ; 2012-08-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯片插层化合物的制备方法及原位显微拉曼表征系统,制备方法包括将石墨烯片和三氯化铁分别放置于相互连接相通的玻璃管和比色皿,用分子泵将玻璃管和比色皿抽成真空后用酒精灯密封住,加热到340摄氏度并保持6至24小时,降温到常温。原位显微拉曼表征系统包括：内含石墨烯片和三氯化铁的密闭相通的玻璃管和比色皿；一激光器；一拉曼光谱仪；一加热台；一升降台；一平移台；两振镜。本发明提供的石墨烯片/三氯化铁插层化合物的制备方法简单实用,原位显微拉曼表征系统可用来原位表征石墨烯片/三氯化铁插层化合物的显微拉曼光谱,并能原位监测石墨烯片/三氯化铁插层化合物的形成情况。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 申请日期 | 2011-03-11 |
| 专利号 | CN102156116A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110059829.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23332 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭平恒,赵伟杰,韩文鹏,等. 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统, 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统. CN102156116A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼（705KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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