SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
具有双精度工作模式的可编程CMOS温度传感器; 具有双精度工作模式的可编程CMOS温度传感器
冯鹏; 吴南健
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-29 ; 2012-05-02 ; 2012-08-29
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了一种具有双精度工作模式的可编程CMOS温度传感器,包括:传感器前端电路,用于在控制电路产生的控制信号的作用下产生与温度相关的电压信号,并将该与温度相关的电压信号输出给双精度sigma-delta?ADC;双精度sigma-delta?ADC,用于在控制电路产生的控制信号的作用下将该与温度相关的电压信号转变为包含有温度信息的数字输出信号;控制电路,用于协调传感器前端电路和双精度sigma-delta?ADC的工作,并产生动态匹配、斩波和工作模式选择所需的控制信号。该温度传感器包括两种工作模式:低精度工作模式和高精度工作模式。在这两种工作模式下,其测温范围均可编程,通过这种独特的双精度工作模式,降低了对传感器对ADC分辨率的要求,从而节省了功耗。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
申请日期2011-10-11
专利号CN102435336A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110306248.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23321
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
冯鹏,吴南健. 具有双精度工作模式的可编程CMOS温度传感器, 具有双精度工作模式的可编程CMOS温度传感器. CN102435336A.
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具有双精度工作模式的可编程CMOS温度传(705KB) 限制开放使用许可请求全文
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