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专利名称: 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法;  大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法
发明人: 张雨溦;  张杨;  曾一平
摘要:  一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管,包括:一衬底;一复合缓冲层,生长在衬底上;一插入层,生长在复合缓冲层上;一AlSb隔离层,生长在插入层上;一子沟道层,生长在AlSb隔离层上;一锑化物下势垒层,生长在子沟道层上;一InAs沟道层,生长在锑化物下势垒层上;一锑化物隔离层,生长在InAs沟道层上;一掺杂层,生长在锑化物隔离层上,该掺杂层是Si平面掺杂的InAs,或者是Te的δ掺杂;一上势垒层,生长在掺杂层上,该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层;一InAs帽层,生长在上势垒层上,该InAs帽层是非有意掺杂的InAs,或者是n型掺杂的InAs。
专题: 半导体材料科学中心_专利

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大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法.pdf473KbAdobe PDF 联系获取全文


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张雨溦;张杨;曾一平,大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法, CN201110283050.1,
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