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大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法; 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法
张雨溦; 张杨; 曾一平
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管,包括:一衬底;一复合缓冲层,生长在衬底上;一插入层,生长在复合缓冲层上;一AlSb隔离层,生长在插入层上;一子沟道层,生长在AlSb隔离层上;一锑化物下势垒层,生长在子沟道层上;一InAs沟道层,生长在锑化物下势垒层上;一锑化物隔离层,生长在InAs沟道层上;一掺杂层,生长在锑化物隔离层上,该掺杂层是Si平面掺杂的InAs,或者是Te的δ掺杂;一上势垒层,生长在掺杂层上,该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层;一InAs帽层,生长在上势垒层上,该InAs帽层是非有意掺杂的InAs,或者是n型掺杂的InAs。
metadata_83半导体材料科学中心
Application Date2011-09-22
Patent NumberCN102324436A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110283050.1
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23312
Collection半导体材料科学中心
Recommended Citation
GB/T 7714
张雨溦,张杨,曾一平. 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法, 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法. CN102324436A.
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大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及(473KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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