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专利名称: 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法;  基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法
发明人: 张杨;  曾一平
摘要:  一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器,包括:一衬底,为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底;一复合缓冲层,该复合缓冲层为十字结构,该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位;一下势垒层,该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上;一下掺杂层,该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上;一下隔离层,该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上;一沟道层,该沟道层生长在十字结构下隔离层上;一上隔离层,该上隔离层生长在十字结构沟道层上;一上掺杂层,该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上;一上势垒层,该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上;一帽层,该帽层生长在十字结构上势垒层上;欧姆接触电极,制作在十字结构的帽层的四端部的上面。
专题: 半导体材料科学中心_专利

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基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法.pdf757KbAdobe PDF 联系获取全文


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张杨;曾一平,基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法, CN201110385093.0,
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