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基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法; 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法
张杨; 曾一平
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器,包括:一衬底,为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底;一复合缓冲层,该复合缓冲层为十字结构,该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位;一下势垒层,该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上;一下掺杂层,该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上;一下隔离层,该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上;一沟道层,该沟道层生长在十字结构下隔离层上;一上隔离层,该上隔离层生长在十字结构沟道层上;一上掺杂层,该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上;一上势垒层,该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上;一帽层,该帽层生长在十字结构上势垒层上;欧姆接触电极,制作在十字结构的帽层的四端部的上面。
metadata_83半导体材料科学中心
Application Date2011-11-28
Patent NumberCN102376874A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110385093.0
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23311
Collection半导体材料科学中心
Recommended Citation
GB/T 7714
张杨,曾一平. 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法, 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法. CN102376874A.
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基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及(757KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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