| 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法; 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 |
| 张杨; 曾一平
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-08-29
; 2012-08-29
; 2012-08-29
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器,包括：一衬底,为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底；一复合缓冲层,该复合缓冲层为十字结构,该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层,该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上；一下掺杂层,该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上；一下隔离层,该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上；一沟道层,该沟道层生长在十字结构下隔离层上；一上隔离层,该上隔离层生长在十字结构沟道层上；一上掺杂层,该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上；一上势垒层,该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上；一帽层,该帽层生长在十字结构上势垒层上；欧姆接触电极,制作在十字结构的帽层的四端部的上面。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 申请日期 | 2011-11-28
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| 专利号 | CN102376874A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110385093.0
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23311
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张杨,曾一平. 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法, 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法. CN102376874A.
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