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980nm 折射率微扰FP 腔半导体激光器的研制
高卓
学位类型博士
导师马萧宇
2011
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业微电子学与固体电子学
关键词Fp 腔半导体激光器 折射率微扰 光谱线宽 波长稳定 刻槽图形
摘要980nm 大功率半导体激光器由于其优异的吸收特性及高的泵浦效率而被广
泛应用于掺Yb 和掺Er 光纤激光器。然而通常较窄的泵浦吸收带宽会对普通的
宽面Fabry-Perot(FP)腔半导体激光器的泵浦应用带来很大挑战,因为通常的大功
率半导体激光器的典型光谱宽度大约是3~6nm,并且其中心波长随温度和工作
电流的升高会发生很明显的漂移。为了进一步满足对高功率窄线宽波长稳定半导
体激光器泵浦源的需求,我们设计并制备了一种新型的折射率微扰FP 腔半导体
激光器,该结构与DFB 等常规获得良好光谱特性的制备方法相比,制备工艺更
为简单、更易于批量规模生产。本论文的主要研究内容及研究成果具体如下:
1. 首先对折射率微扰 FP 腔半导体激光器的结构设计进行了理论分析和初步计
算,分析了折射率微扰的位置分布与理想的调制光谱之间的对应关系。
2. 国内首次对 808nm 折射率微扰FP 腔半导体激光器的结构进行设计,确定出
了改善的光谱纯度及波长稳定性对应的折射率微扰分布。
3. 国内首次设计了 980nm 脊形波导及宽面折射率微扰FP 腔半导体激光器的结
构,并且确定出了具体的外延结构及折射率微扰分布。
4. 利用 L-edit 软件设计了808nm 及980nm 波长折射率微扰FP 腔半导体
激光器的光刻板,其中主要针对腔长的精确控制及精准套刻的实现,引入
了有效的标记。
5. 改进现有的光刻工艺条件,具体包括:优化胶厚、软烘焙温度及时间、增加
曝光后显影前的后烘(PEB),尽可能提高光刻胶的黏附性以实现更接近于~
1μm 的最小图形尺寸。
6. 摸索和固化 ICP 干法刻蚀工艺中,获得AlGaAs/InGaP 的200:1 高选择比的刻
蚀工艺条件,最终确定在低离子能的条件下,即ICP 功率为200W、RIE 偏置
功率为 40W、腔室气压为5mTorr 以及气流比率为16BCl3/4SF6 时,可获得对
刻蚀深度的精确控制以及更均匀的刻蚀深度。
7. 国内首次制备了 980nm 宽面折射率微扰FP 腔半导体激光器,通过对器件的
光谱特性进行测试,发现该结构可以明显改善器件的光谱纯度及波长的温度
980nm 折射率微扰FP 腔半导体激光器的研制
II
稳定特性,具体结果如下:器件的半高峰宽(FWHM)与普通的FP 腔半导
体激光器相比有明显的减小,从4.6nm 明显降低到0.4nm 以下;在10℃-60℃
的测试温度范围内,其波长稳定性也有明显改善,其输出光谱的温度漂移系
数由0.26nm/℃降低到0.07nm/℃;通过对比不同槽数器件N=0,3,6,9 的激射
波长随工作电流的漂移特性,发现波长电流系数也从未刻槽的0.05nm/mA 降
低到0.009nm/mA。实验结果进一步表明光谱特性的显著改善主要归因于FP
腔半导体激光器中引入的折射率微扰结构。
学科领域半导体器件
语种中文
公开日期2011-12-28
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22646
专题光电子器件国家工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
高卓. 980nm 折射率微扰FP 腔半导体激光器的研制[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011.
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