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利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法
宋国峰; 张宇; 汪卫敏; 陈熙
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤1:在激光器的出光面上制作一层金属薄膜;步骤2:在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂;步骤3:把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上;步骤4:采用压印技术,使液态阻蚀剂固化;步骤5:脱模,把纳米图案转移到阻蚀剂上;步骤6:等离子体刻蚀多余阻蚀剂,在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案;步骤7:反应离子刻蚀,把纳米图案转移到金属薄膜上;步骤8:去除剩余的阻蚀剂,完成制备。
metadata_83纳米光电子实验室
Patent NumberCN200910079801.0
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910079801.0
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22457
Collection纳米光电子实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
宋国峰,张宇,汪卫敏,等. 利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法. CN200910079801.0.
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