| 测量半导体激光器腔面温度的测试系统; 测量半导体激光器腔面温度的测试系统 |
| 裘利平; 饶兰
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
; 2011-08-31
; 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种测量半导体激光器腔面温度的测试系统，包括：一三维微位移平台；一温控平台位于三维微位移平台的上面，温控平台上安装有样品架；一激光头模块位于温控平台的正上方；一滤波片位于激光头模块与温控平台之间的光路上，使滤波片对被测样品发射的激光形成高反，对激光头模块发射的激光形成高透；一脉冲电流源向激光头模块供电，使激光头模块发出一脉冲激光；一直流电流源向温控平台供电；一直流电流源为被测样品提供工作电流；一监控CCD监控被测样品，利于将激光头模块发出的激光光斑照射于被测样品腔面上；一三维微位移平台控制器控制三维微位移平台的三维移动；一锁相放大器的输入端与激光头模块的输出端连接；一台式万用表的输入端与锁相放大器的输出端连接。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN201010564571.X
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010564571.X
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22421
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
裘利平,饶兰. 测量半导体激光器腔面温度的测试系统, 测量半导体激光器腔面温度的测试系统. CN201010564571.X.
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