| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 | |
李艳 ; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷，普适性强，可淀积2微米以上的薄膜，薄膜应力小，抗腐蚀性能好。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN200910081224.9 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910081224.9 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22403 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李艳,杨富华,唐龙娟,等. 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法. CN200910081224.9. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910081224.9.pdf（311KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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