采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 | |
李艳![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法,该方法包括:步骤1:对样品进行清洗并预热;步骤2:在样品上淀积氮化硅薄膜;步骤3:对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源,方法简单快捷,普适性强,可淀积2微米以上的薄膜,薄膜应力小,抗腐蚀性能好。 |
metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
Patent Number | CN200910081224.9 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910081224.9 |
Patent Agent | 周国城 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22403 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李艳,杨富华,唐龙娟,等. 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法. CN200910081224.9. |
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