SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法,该方法包括:步骤1:对样品进行清洗并预热;步骤2:在样品上淀积氮化硅薄膜;步骤3:对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源,方法简单快捷,普适性强,可淀积2微米以上的薄膜,薄膜应力小,抗腐蚀性能好。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN200910081224.9
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910081224.9
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22403
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
李艳,杨富华,唐龙娟,等. 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法. CN200910081224.9.
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