SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
纳流体测试器件的制备方法
张加勇; 王晓峰; 王晓东; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种纳流体测试器件的制备方法,包括:在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层;去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层,形成侧墙;去除基底材料层,只保留纳米尺寸的侧墙;在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层;在该侧墙材料层的该条边的金属上覆盖一条制作纳流通道的抗腐蚀绝缘材料层;最后去除侧墙材料层,同时剥离掉侧墙身上的金属层和抗腐蚀绝缘材料层,形成两侧埋有金属的通道;在通道两侧金属层上方开孔,引出两端电极即形成纳流体测试器件。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN200910237086.9
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910237086.9
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22381
Collection半导体集成技术工程研究中心
Recommended Citation
GB/T 7714
张加勇,王晓峰,王晓东,等. 纳流体测试器件的制备方法. CN200910237086.9.
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