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锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法
李彦波; 张杨; 曾一平
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管,包括:一衬底;一复合缓冲层,该复合缓冲层生长在衬底上;一锑化物下势垒层,该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上;一沟道层,该沟道层生长在锑化物下势垒层上;一锑化物隔离层,该锑化物隔离层生长在沟道层上;一掺杂层,该掺杂层生长在锑化物隔离层上;一上势垒层,该上势垒层生长在掺杂层上;一帽层,该帽层生长在上势垒层上。本发明同时公开了一种制造锑化物高电子迁移率晶体管的方法。利用本发明,通过采用复合缓冲层,使得晶体管结构材料的质量获得很大的提高,可获得更好的沟道电子输运特性,提高器件的输出特性,充分发挥该种器件的高频、高速、低功耗特性,有效提高了器件的稳定性和可靠性。
metadata_83半导体材料科学中心
Patent NumberCN200910236705.2
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910236705.2
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22323
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
李彦波,张杨,曾一平. 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法. CN200910236705.2.
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