SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心
采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法
王晓峰; 段垚; 刘祯; 曾一平
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法,包括:步骤1:在金属源化学气相沉积(MVPE)的生长气路上增加一路还原性气路;步骤2:将掺杂金属和金属锌分别放入金属舟,并加入少量的去离子水或过氧化氢;步骤3:将清洗干净的衬底放入衬底托上;步骤4:生长之前对金属舟进行氧化处理;步骤5:生长掺杂氧化锌,在生长过程中一直开启还原性气路。本发明具有可控掺杂,且具有生长速度快,成本低等优点。
metadata_83半导体材料科学中心
Patent NumberCN201010141024.0
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010141024.0
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22303
Collection半导体材料科学中心
Recommended Citation
GB/T 7714
王晓峰,段垚,刘祯,等. 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法. CN201010141024.0.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
CN201010141024.0.pdf(357KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王晓峰]'s Articles
[段垚]'s Articles
[刘祯]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王晓峰]'s Articles
[段垚]'s Articles
[刘祯]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王晓峰]'s Articles
[段垚]'s Articles
[刘祯]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.